Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	21 549	6.30
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	RECTRON
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DIODES INC.
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL INSTRUMENT
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	64
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR	557
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	RECTRON	68
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICROSEMI CORP
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SEMTECH	400	11.58
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GALAXY
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	1 992	6.44
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	---
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)		2 969	4.98
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK	907	9.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MASTER INSTRUMENT	8	9.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GALAXY ME
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DIOTEC
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	WUXI XUYANG	356	12.86
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE	600	6.88
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIG
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	TRR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	1
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SUNMATE	854	8.66
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGZHOU YANGJIE
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz		172	94.38
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SOLID STATE DEVICES
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMI
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ST MICROELECTRONICS SEMI	9
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	SIGNETICS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	STMicroelectronics
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	Micro Commercial Co
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ГЕРМАНИЯ
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	FSC
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	ONS
		2N2907A		Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz	DIOTEC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	1 508	3.64
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 728	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	912	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		1 600	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	54 417	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		314	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	116	19.94
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...		413	11.78
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	КРЕМНИЙ	532	9.45
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	АЛЕКСАНДРОВ	13 216	4.20
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	БРЯНСК	160	4.20
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	РИГА	2 035	4.20
		КТ3107Ж		Транзисторы кремниевые, структуры p-n-p усилительные, с нормированным коэффициентом ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"