|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
5 481
|
2.70
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
3 480
|
3.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
12 047
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
DC COMPONENTS
|
4 702
|
2.01
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
|
13 280
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
|
1 220
|
|
|
|
|
2SA1015 |
|
Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
|
HOTTECH
|
23 847
|
1.31
|
|
|
|
LG400M0470BPF-3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 400 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
LG400M0470BPF-3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LG400M0470BPF-3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LG400M0470BPF-3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 400 В
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F819-I/P |
|
Микроконтроллер 2Kx14 Flash, RAM 256,ROM 2K, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
1 789
|
368.81
|
|
|
|
PIC16F819-I/P |
|
Микроконтроллер 2Kx14 Flash, RAM 256,ROM 2K, 16I/O, 20MHz
|
|
|
387.08
|
|
|
|
PIC16F819-I/P |
|
Микроконтроллер 2Kx14 Flash, RAM 256,ROM 2K, 16I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F819-I/P |
|
Микроконтроллер 2Kx14 Flash, RAM 256,ROM 2K, 16I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F819-I/P |
|
Микроконтроллер 2Kx14 Flash, RAM 256,ROM 2K, 16I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
495
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
16.12
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ДАЛЕКС
|
47
|
32.96
|
|
|
|
КТ368БМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|