Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	SEMICRON
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	EIC
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	SMK
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	ST MICROELECTRONICS
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в			52.56
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	DC COMPONENTS
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	Littelfuse Inc
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	STMicroelectronics
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	КИТАЙ
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MIC
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MULTICOMP
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	MIG
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	HOTTECH	2 204	18.51
		1.5KE250CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 250в	LEIDITEH	3 312	8.48
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	21 549	6.30
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	RECTRON
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DIODES INC.
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL INSTRUMENT
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	64
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR	557
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	RECTRON	68
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICROSEMI CORP
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SEMTECH	331	11.08
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GALAXY
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	3 224	8.12
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	---
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)		3 209	5.36
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK	915	9.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MASTER INSTRUMENT	8	9.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GALAXY ME
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DIOTEC
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	WUXI XUYANG	408	12.31
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE	2 000	6.64
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIG
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	TRR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	1
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SUNMATE	854	8.29
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 222	4.96
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 764	3.90
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		5 600	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	55 795	0.70  >1000 шт.   0.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.02
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		CD74HC86M		Стандартная логика QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE-OR-GATE	HARRIS
		CD74HC86M		Стандартная логика QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE-OR-GATE		4	108.00
		CD74HC86M		Стандартная логика QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE-OR-GATE	HARRIS
		CD74HC86M		Стандартная логика QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE-OR-GATE	Texas Instruments
		CD74HC86M		Стандартная логика QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE-OR-GATE	TEXAS
		CD74HC86M		Стандартная логика QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE-OR-GATE	4-7 НЕДЕЛЬ	487
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		311	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	924	27.60
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"