| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
 |
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
13 360
|
7.51
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
112 185
|
3.65
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
GRM32ER71H106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 50В, 10%
|
MURATA
|
88
|
77.49
|
|
|
|
|
GRM32ER71H106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 50В, 10%
|
MURATA
|
1 548
|
|
|
|
|
|
GRM32ER71H106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 50В, 10%
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM32ER71H106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 50В, 10%
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM32ER71H106KA12L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 50В, 10%
|
MUR
|
369 976
|
8.04
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.67
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
138
|
2.30
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
TAJA475K020RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 20 В
|
AVX
|
1 330
|
8.06
|
|
|
|
|
TAJA475K020RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 20 В
|
AVX
|
|
|
|
|
|
|
TAJA475K020RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 20 В
|
AVX Corporation
|
|
|
|
|
|
|
TAJA475K020RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 20 В
|
|
|
|
|
|
|
|
TAJA475K020RNJ |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 20 В
|
KYOCERA-AVX
|
|
|
|
Версия для печати
