|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG DEVICES
|
288
|
272.96
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
|
|
710.40
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
45
|
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
MURATA
|
148 315
|
2.69
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
MUR
|
669 484
|
1.06
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
|
161
|
1.84
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
35 068
|
4.21
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
160
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
47 136
|
2.33
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
28 784
|
4.79
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
BOURNS
|
3 841
|
20.47
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
|
|
96.00
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
ВОURNS
|
208
|
40.29
|
|