Версия для печати
Технические характеристики TAJE477K010RNJ

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	TAJ Series Suffix Change 08/Dec/2008
Серия	TAJ
Емкость	470µF
Номинальное напряжение	10V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	500.0 mOhm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	2917 (7343 Metric)
Size / Dimension	0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Высота	0.169" (4.30mm)
Manufacturer Size Code	E
Возможности	General Purpose

Танталовый конденсатор 10мкФ, 10 В, 10%, 125С TAJE477K010RNJ datasheet 112,33kB 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	323 728	2.78
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		86 136	1.16  >100 шт.   0.58
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	70	1.74
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	211	1.37
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	431 231	1.03
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	1 024
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	2 411	1.32  >500 шт.   0.44
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	198 916	1.26  >500 шт.   0.42
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	467 746	1.06  >100 шт.   0.53
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	105 600	1.20  >500 шт.   0.40
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSMICRO	276 976	1.08  >500 шт.   0.36
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	XXW	114 450	1.02  >500 шт.   0.34
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGZHOU YANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KEEN SIDE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	RUME	43 200	1.14  >500 шт.   0.38
		CC0805JRNPO9BN220		Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805			4.48
		CC0805JRNPO9BN220		Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805	YAGEO	12 191	11.88
		CC0805JRNPO9BN220		Керамический ЧИП конденсатор 22 пФ, NPO,200В, (5%), 0805	YAGEO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 581	2.12
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 680	8.27
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)		3	7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	ANALOG DEVICES
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	ANALOG
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	Analog Devices Inc
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	США
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	ANALOG DEVICES	3
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF		2
		REF198GSZ		Источник опорного напряжения на 4,096В +2мВ, 5ppm/°C, -40°C - +85°C, PBF	4-7 НЕДЕЛЬ	501
		WF-7R		вилка на плату 2.54мм угловая			18.44
		WF-7R		вилка на плату 2.54мм угловая	NELTON
		WF-7R		вилка на плату 2.54мм угловая	NELTRON
		WF-7R		вилка на плату 2.54мм угловая	HSUAN MAO
		WF-7R		вилка на плату 2.54мм угловая	NLT	965	2.61
		WF-7R		вилка на плату 2.54мм угловая	1207

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"