|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
|
8
|
16.88
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
MUR
|
148 334
|
1.29
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM21AG601SN1D |
|
Дроссель ферромагнитный SMD 0805 0.2A 0
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
MURATA
|
25 255
|
4.99
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
MUR
|
216 634
|
1.25
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21PG331SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=330Ohm, Idc=1.5A, T=-55 to +125C)
|
|
161
|
1.75
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
|
8
|
32.80
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
MUR
|
52 924
|
8.38
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42LT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
22 496
|
4.02
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.47
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 146
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|