PHB66NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB66NQ03LT (PHILIPS.)	2 048	3-4 недели Цена по запросу
PHB66NQ03LT (NXP.)	842	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB66NQ03LT

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	66A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	860pF @ 25V
Power - Max	93W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB66NQ03LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHB66NQ03LT datasheet
90.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
900M-T-K		SOLOMON
900M-T-K			32	44.39
900M-T-K		<>
900M-T-K		КИТАЙ
900M-T-K		YH
900M-T-K		YIHUA
900M-T-K		RUICHI	16	58.47
ADP3110AKRZ-RL		ONS
ADP3110AKRZ-RL		ON SEMICONDUCTOR	460
ADP3110AKRZ-RL		ON Semiconductor
AP70T03GH		ADVANCED POWER ELECT. CORP
AP70T03GH		ADVANCED POWER ELECT. CORP	2 347
AP70T03GH
HIP6601BCBZ		INTERSIL
HIP6601BCBZ		INTERSIL	44
HIP6601BCBZ
HIP6601BCBZ		4-7 НЕДЕЛЬ	53
NTB90N02	Power mosfet 90 amps, 24 volts n?channel d2pak	ON SEMICONDUCTOR