PHB96NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB96NQ03LT (NXP.)	556	3-4 недели Цена по запросу
PHB96NQ03LT (PHILIPS.)	3 338	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB96NQ03LT

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.95 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2200pF @ 25V
Power - Max	115W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB96NQ03LT (MOSFET)

TrenchMOS (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PHB96NQ03LT datasheet
296.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество
HIP6601BCB		INTERSIL
HIP6601BCB		INTERSIL
PHB66NQ03LT	N-channel trenchmos (tm) logic level fet	PHILIPS
PHB66NQ03LT	N-channel trenchmos (tm) logic level fet	PHILIPS	2 048
PHB66NQ03LT	N-channel trenchmos (tm) logic level fet	NXP	842
PHB66NQ03LT	N-channel trenchmos (tm) logic level fet