L4981BD

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
L4981BD (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	452	3-4 недели Цена по запросу
L4981BD (4-7 НЕДЕЛЬ)	646	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики L4981BD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	VISHAY
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W			66.52
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	Vishay/Siliconix
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	КИТАЙ
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	INFINEON
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	IR/VISHAY
IXTH8P50	Standard power mosfet	IXYS
IXTH8P50	Standard power mosfet	IXYS CORPORATION
IXTH8P50	Standard power mosfet			1 224.04
NCP1203D60R2G				134.00
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
NCP1203D60R2G		4-7 НЕДЕЛЬ	116
UC3842BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3842BD1				74.40
UC3842BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3842BD1		STMicroelectronics
UC3842BD1		ST MICROELECTRONICS	800	49.14
UC3842BD1		4-7 НЕДЕЛЬ	214