Версия для печати
Технические характеристики UC3842BD1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
PWM Type	Current Mode
Число выходов	1
Частота -макс.	500kHz
Duty Cycle	100%
Напряжение питания	11.5 V ~ 25 V
Buck	Нет
Boost	Да
Flyback	Да
Inverting	Нет
Doubler	Нет
Divider	Нет
Cuk	Нет
Isolated	Да
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

DC/DC контроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)		60 265	2.00  >100 шт.   1.00
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	800	8.59
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MCC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY	3 689	1.81
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	OTHER	12 800
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	1 424
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ	8	1.50
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	7 139
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YJ	300 144	1.80  >100 шт.   0.90
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	21 428	2.07
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	LRC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PANJIT
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	4	2.62
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YOUTAI	42 094	1.36  >100 шт.   0.68
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ZH
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	8 102	1.80
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ASEMI
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	TRR
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YIXING
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	1
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	481 949	2.00  >100 шт.   1.00
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHIKUES
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MERRYELC	4 800	1.98  >100 шт.   0.99
		BUL45D2G		Транзистор биполярный большой мощности	ST MICROELECTRONICS
		BUL45D2G		Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
		BUL45D2G		Транзистор биполярный большой мощности	ONS
		BUL45D2G		Транзистор биполярный большой мощности			161.44
		BUL45D2G		Транзистор биполярный большой мощности	ON SEMICONDUCTOR
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NSC
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)			130.40
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	HGSEMI	584	19.07
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	4-7 НЕДЕЛЬ	53
		M62359P
		M62359P
		M62359P			MITSUBISHI	8	190.80
		M62359P			4-7 НЕДЕЛЬ	701
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRONICS
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO		305	33.76
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	STMicroelectronics
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO		305	33.76
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	КИТАЙ
		STP10NK60ZFP		Полупроводниковый компонент TO220ISO	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"