IRFP9140NPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP9140NPBF (INFINEON)	536	113.65

Версия для печати

Технические характеристики IRFP9140NPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	97nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
4609X-101-103LF	8x 10 кОм, резисторная сборка	BOURNS	1 540	14.54
4609X-101-103LF	8x 10 кОм, резисторная сборка	Bourns Inc
4609X-101-103LF	8x 10 кОм, резисторная сборка
IRFP140NPBF	Полевой транзистор N-Канальный 100V 33A 140W 0,052R TO247A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP140NPBF	Полевой транзистор N-Канальный 100V 33A 140W 0,052R TO247A	INFINEON
IRFP140NPBF	Полевой транзистор N-Канальный 100V 33A 140W 0,052R TO247A
L4981BD		ST MICROELECTRONICS
L4981BD				464.00
L4981BD		ST MICROELECTRONICS SEMI	452
L4981BD		STMicroelectronics
L4981BD		ST1
L4981BD		ST MICROELECTRO
L4981BD		4-7 НЕДЕЛЬ	646
NCP1203D60R2G				134.00
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
NCP1203D60R2G		4-7 НЕДЕЛЬ	116
КТ602БМ			80	21.08
КТ602БМ		БРЯНСК	1 748	33.92
КТ602БМ		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ602БМ		ВОРОНЕЖ
КТ602БМ		КРЕМНИЙ	80	24.99
КТ602БМ		КРЕМНИЙ ЭЛ	378	5.20
КТ602БМ		1900
КТ602БМ		717
КТ602БМ		473