Версия для печати
Технические характеристики TECAP 10/20V B 10

Номинальное напряжение	20 В
Емкость	10 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	3528-21
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA32A-PU			ATMEL
		ATMEGA32A-PU				873	399.45
		ATMEGA32A-PU			ANALOG DEVICES
		ATMEGA32A-PU			ATMEL CORPORATION
		ATMEGA32A-PU			MICRO CHIP	568	413.80
		ATMEGA32A-PU			4-7 НЕДЕЛЬ	616
		BAS316		Диод	FAIR
		BAS316		Диод	NXP
		BAS316		Диод	PHILIPS
		BAS316		Диод		22 604	1.46  >100 шт.   0.73
		BAS316		Диод	NXP	43
		BAS316		Диод	PHILIPS
		BAS316		Диод	ФИЛИППИНЫ
		BAS316		Диод	PHI
		BAS316		Диод	PANJIT
		BAS316		Диод	NEX-NXP
		BAS316		Диод	LGE
		BAS316		Диод	HOTTECH	59 040	1.08  >500 шт.   0.36
		BAS316		Диод	YJ	2 506 020	1.32  >500 шт.   0.44
		BAS316		Диод	JSCJ	163 826	1.14  >500 шт.   0.38
		BAS316		Диод	SUNTAN	475	1.86  >100 шт.   0.93
		BAS316		Диод	YANGZHOU YANGJIE
		BAS316		Диод	KEEN SIDE	19 512	1.22  >100 шт.   0.61
		BAS316		Диод	MERRYELC	23 920	1.80  >100 шт.   0.90
		BAS316		Диод	YANGJIE	73 228	1.22  >100 шт.   0.61
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 664	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	21 335	1.60
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	18 155	3.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	321 461	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		17 285	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.65
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	4 156	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	90 108	1.03
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	62 400	1.29  >500 шт.   0.43
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	153 091	1.36  >100 шт.   0.68
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK	160	1.50  >100 шт.   0.75
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	600	1.35  >500 шт.   0.45
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC	246 080	1.16  >100 шт.   0.58
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 900	1.23  >500 шт.   0.41
		CC0805JRNPO9BN102		Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805	YAGEO	519 959	1.14  >500 шт.   0.38
		CC0805JRNPO9BN102		Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805	YAGEO
		CC0805JRNPO9BN102		Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805		8
		TECAP 10/10V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В	SAMSUNG
		TECAP 10/10V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В	VISHAY
		TECAP 10/10V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В	SAM
		TECAP 10/10V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В	AVX
		TECAP 10/10V B 10		Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В	HOTTECH

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"