|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
G1906 |
|
Корпус ударопрочный жаростойкий 69.5*50.5-21мм
|
GAINTA
|
1 901
|
181.62
|
|
|
|
G1906 |
|
Корпус ударопрочный жаростойкий 69.5*50.5-21мм
|
|
|
|
|
|
|
G1906 |
|
Корпус ударопрочный жаростойкий 69.5*50.5-21мм
|
RCT
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 431
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
57 731
|
10.89
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
|
8 776
|
9.73
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TRR
|
6 240
|
4.13
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS
|
131 808
|
7.33
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
41 739
|
25.90
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS THOMSON
|
916
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
432
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
STMICROELECTRONICS
|
31 388
|
7.16
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
536
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONS
|
796
|
97.79
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
|
230
|
75.60
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMI
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 242
|
16.80
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
|
5 816
|
9.50
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS
|
6 791
|
17.35
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
514
|
|
|