FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADCMP605BCPZ-WP		Analog Devices Inc
ADCMP605BCPZ-WP		ANALOG
ADCMP605BCPZ-WP
ADCMP605BCPZ-WP		4-7 НЕДЕЛЬ	134
NFM18PS105R0J3D		MURATA	99	7.23
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	40 443	4.42
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA
STPS1H100A	Диод Шоттки	ST MICROELECTRONICS
STPS1H100A	Диод Шоттки	STMicroelectronics
STPS1H100A	Диод Шоттки		15 600	8.15
STPS1H100A	Диод Шоттки	КИТАЙ
STPS1H100A	Диод Шоттки	ST MICROELECTRONICS SEMI	2 630
TSML1000		Vishay/Semiconductors
TSML1000		VISHAY	160	22.55
TSML1000
TSML1000		4-7 НЕДЕЛЬ	340