| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
|
5 682
|
18.90
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
NXP
|
1 028
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
1
|
|
|
|
|
|
74HC74D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74) 2 независимых D-триггера, срабатывающих по ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
668
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
2.10
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
4.91
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
76 006
|
1.97
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
93 627
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
29 078
|
1.88
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.45
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 584
|
1.02
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
28 306
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.33
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
267 760
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
108 000
|
1.13
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
9 751
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
243 800
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
14 572
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
39 312
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
15 687
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
BLM21BD601SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA
|
27
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
BLM21BD601SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C
|
|
|
6.44
|
|
|
|
|
BLM21BD601SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
BLM21BD601SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C
|
MUR
|
37 146
|
2.35
|
|
|
|
|
BLM21BD601SN1D |
|
Импеданс (100МГц) 600 Ом +25% 0,2А SMD 0805 -55..+125°C
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
|
NFM18PS105R0J3D |
|
|
MURATA
|
155
|
5.17
|
|
|
|
|
NFM18PS105R0J3D |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
NFM18PS105R0J3D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
NFM18PS105R0J3D |
|
|
MUR
|
14 037
|
3.07
|
|
|
|
|
NFM18PS105R0J3D |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TPS73118DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS73118DBVT |
|
|
|
5
|
226.80
|
|
|
|
|
TPS73118DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
29
|
|
|
|
|
|
TPS73118DBVT |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TPS73118DBVT |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TPS73118DBVT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
43
|
|
|