КТ825Г
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
Макс. имп. напряжение к - б 90В |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6052 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
2N6052 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| 2N6286 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N6286 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 | 1 | 413.28 | ||||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 | STMicroelectronics |
|
|
|||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 |
|
|
||||
| BDX88B |
|
|
||||||
|
|
MJ2501 |
|
Транзистор биполярный большой мощности | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MJ2501 |
|
Транзистор биполярный большой мощности |
|
253.20 | |||
|
|
MJ2501 |
|
Транзистор биполярный большой мощности | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
MJ2501 |
|
Транзистор биполярный большой мощности | SOLID STATE INCORPORATED |
|
|
||
 |
|
MJ4032 |
|
STMicroelectronics |
|
|
