MJ4032
|
TRANS PWR DARL COMPL TO-3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 40mA, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 3mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 10A, 3V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
| Корпус | TO-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6052 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
2N6052 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 | 1 | 413.28 | ||||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 | STMicroelectronics |
|
|
|||
| 2N6287 |
|
Транзистор S-P-DR.+Д 100В 20A TO3 |
|
|
||||
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 96 | 956.34 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 16 | 552.00 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 173 | 1 312.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
