Версия для печати
Технические характеристики IRF7341PBF

Power - Max	2W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	136 699	2.10
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)			4.00
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTOR	2 533
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMIC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ON SEMICONDUCTO
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMICONDUCTOR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONS-FAIR
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	LRC
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	VBSEMI	4 748	3.76
		2N7002LT1G		Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)	ONSEMI	136	1.34
		BAT721A,215			NXP Semiconductors
		BAT721A,215			NXP
		BAT721A,215			NEX
		BAT721A,215
		IRFR3411PBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR3411PBF			INFINEON
		IRFR3411PBF
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	ST MICROELECTRONICS
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	TSC
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	FAIR
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	FAIRCHILD
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD		784	11.10
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	FAIRCHILD
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	DC COMPONENTS
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	Bourns Inc
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	Littelfuse Inc
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	Fairchild Semiconductor
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	BOURNS	9
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	YJ	90 280	3.64
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	LTL
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	FSC
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	ONS
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	LITTELFUSE
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	WAYON	33 356	7.45
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	YANGJIE
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	YANGJIE (YJ)
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	LGE
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	HOTTECH	5 400	4.81
		SMBJ14A		Защитный диод 14В 600Вт SMD	YANGZHOU YANGJIE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"