ANT 2.4 ISM2400-W08 SMA-M

Версия для печати

Технические характеристики ANT 2.4 ISM2400-W08 SMA-M

Производитель	ZOGLAB MICROSYSTEM INC.
Количество в упаковке	1 шт.
Вес	10.900 г
Монтаж	Разъём
Частотный диапазон	2400 МГц
Коэффициент усиления	3 dBi
Тип разъёма	SMA-M
Размер	8.0x110.0 мм

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	ATMEL
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...			940.00
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION	1 232
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	США
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	ATMEL1
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	MICRO CHIP
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	NO NAME
ATMEGA128L-8AU	8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, 32x8 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	748
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.39
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		3 614	1.97
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
BAV99LT1G	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	165 103	2.40
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	11 059 549	0.65 >1000 шт. 0.13
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHY
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603		3
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	2 206
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	СКЛАД
CC0603KRX7R9BB104	Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHYCOMP
NRF24L01P-R		NORDIC	10 620	76.65
NRF24L01P-R
NRF24L01P-R		NORDIC SEMICONDUCTOR
RC0603JR-07180RL		YAGEO	177 839	0.60 >1000 шт. 0.12
RC0603JR-07180RL		YAGEO
RC0603JR-07180RL