LQH32CN101K23L-100 МКГН-10%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQH32CN101K23L-100 МКГН-10%	19 971	16.65

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EDR2H1A0500		ECE
EDR2H1A0500
EDR2H1A0500
EDR2H1A0500		EXCEL CELL	4	279.72
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	28	44.15
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		1 423	24.52
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	1 775	28.13
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA	3 266	10.31
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA	3 840
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
LQH32CN100K53L	Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	12 219	6.34
TZC3R100A110, 3-10ПФ, SMD КОНДЕНСАТОР ПОДСТРОЕЧНЫЙ		MURATA