|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
728
|
56.12
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
40.32
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
17 932
|
20.76
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
|
|
99.80
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3710 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...
|
YOUTAI
|
1 032
|
32.15
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
290.60
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
IGBT 1200В 45А 75кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
IGBT 1200В 45А 75кГц
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF |
|
IGBT 1200В 45А 75кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
|
|
77.28
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
669
|
|
|