Версия для печати
Технические характеристики 1SMA18AT3G

Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Тип монтажа	Поверхностный
Polarization	Unidirectional
Мощность (Ватт)	400W
Voltage - Breakdown	20V
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	18V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	SMA

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Устройства защиты

 » 

TVS

 » 

Диоды

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AP40T03GP		Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт	APEC
		AP40T03GP		Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт			306.00
		MBRF10100CT			VISHAY
		MBRF10100CT				1 440	17.08
		MBRF10100CT			KEC
		MBRF10100CT			---
		MBRF10100CT			SMSC
		MBRF10100CT			KLS	281	34.68
		MBRF10150CT			KEC
		MBRF10150CT
		MBRF10150CT			SMSC
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		3 880	47.72
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		UF4007 T/B			DC COMPONENTS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"