| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
DC COMPONENTS
|
30 891
|
1.30
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
|
13 600
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
6 433
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS-FAIR
|
87 416
|
2.03
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YANGJIE
|
48 000
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JSCJ
|
18 728
|
1.57
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YJ
|
40 256
|
1.51
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
SUNCO
|
16 502
|
1.30
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
249
|
4.49
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
DC COMPONENTS
|
20 299
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
304
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONICS
|
1 894
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP/NEXPERIA
|
2
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
2368
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
КИТАЙ
|
80
|
2.25
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
|
|
64.36
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
64
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
436
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NS
|
85
|
62.65
|
|
|
|
|
MW-8R |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
MW-8R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0710KL |
|
|
YAGEO
|
11 789 058
|
0.90
>1000 шт. 0.18
|
|
|
|
|
RC0402FR-0710KL |
|
|
YAGEO
|
19 200
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0710KL |
|
|
|
|
|
|