| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
DC COMPONENTS
|
35 858
|
1.24
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
|
16 360
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
6 433
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS-FAIR
|
87 456
|
1.64
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YANGJIE
|
48 000
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JSCJ
|
35 900
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YJ
|
16 373
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
SUNCO
|
20 622
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
DC COMPONENTS
|
35 328
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
304
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP/NEXPERIA
|
2
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BZV55-C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
2368
|
80
|
1.08
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
|
|
64.36
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
64
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
436
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-5.0 |
|
ИМС рег. направленный 5В DPAK
|
NS
|
85
|
74.20
|
|
|
|
|
MW-6R |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
MW-6R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0710KL |
|
|
YAGEO
|
8 949 552
|
0.40
>1000 шт. 0.08
|
|
|
|
|
RC0402FR-0710KL |
|
|
YAGEO
|
19 200
|
|
|
|
|
|
RC0402FR-0710KL |
|
|
|
|
|
|