МП116
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3И306Ж | 1 639 | 35.14 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 900 | 16.96 | |||||
| 3И306Ж | 10 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 207 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 357 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 4 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 704 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 716 |
|
|
|||||
 |
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 |
|
34.60 | |||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | UTC |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS THOMSON |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 678 |
|
||
| ГТ 308В |
|
|
||||||
| КТ3132В-2 |
|
|
||||||
| КТ3132В-2 | ПУЛЬСАР |
|
|
|||||
| МП113А |
|
26 | 18.90 | |||||
| МП113А |
|
СВЕТЛАНА |
|
|
||||
| МП113А |
|
80 |
|
|
