|
Микропереключатели МП 1101, МП 2000 - предназначены для коммутации электрических цепей управления переменного тока частоты 50 и 60Гц. И напряжением 24-660В и постоянного тока напряжением 24-440В под воздействием управляющих упоров в определенных точках пути контролируемого объекта. Номинальное напряжение, В переменного тока частотой 50 и 60 Гц 24; 40; 220; 380; 660 постоянного тока 24; 27; 110; 220; 440 Номинальное напряжение изоляции , В 660 Номинальный рабочий ток, А при категории применения АС-11 1,60; 1,00; 0,60; 0,25 при категории применения DС-11 0,60; 0,25; 0,16; 0,06 Номинальный ток, А 16 |
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22МКФ 16 (5X7) |
|
|
||||||
| 47МКФ 16 (5X7) |
|
|
||||||
|
|
КП364Б |
|
16.80 | |||||
|
|
КП364Б | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 124 | 39.04 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 382 | 33.12 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| МП116 | 206 | 24.99 | ||||||
| МП116 | СВЕТЛАНА |
|
|
|||||
| МП116 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|||||
| МП116 | 50 |
|
|