| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
742
|
259.07
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
504
|
381.49
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
890
|
367.79
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
20
|
871.20
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
|
6
|
55.20
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
FAIRCHILD
|
26
|
124.74
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
ONS
|
104
|
248.22
|
|
|
|
|
RFP50N06 |
|
Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RURP860 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
RURP860 |
|
|
|
1
|
166.32
|
|
|
|
|
RURP860 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
RURP860 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
RURP860 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
RURP860 |
|
|
ONS
|
|
|
|
Версия для печати
