| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
|
|
177.92
|
|
|
|
2SK2611 |
|
Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
APPA 67 |
|
Мультиметр цифровой 0,1 мВ - 600В, 0,1 мкА-10 А, 0,1 Ом-32 МОм, 1нФ-3000 мкФ
|
APPA
|
|
|
|
|
|
APPA 67 |
|
Мультиметр цифровой 0,1 мВ - 600В, 0,1 мкА-10 А, 0,1 Ом-32 МОм, 1нФ-3000 мкФ
|
|
34
|
7 794.76
|
|
|
|
|
FFA60UA60DN |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
|
|
48.00
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM833DT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
189
|
|
|