|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
222 913
|
1.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
107 706
|
1.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
61 511
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
507 486
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
331 725
|
1.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
336
|
1.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
2 035 309
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 487 567
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
224 300
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
112 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
98 181
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
18 144
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
5.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
256 270
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
|
21 699
|
1.07
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
DC COMPONENTS
|
7 908
|
1.97
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
FAIRCHILD
|
18 053
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
HOTTECH
|
20 764
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
YJ
|
158 730
|
1.09
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
XXW
|
5 472
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
G30N60A4 |
|
Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
G30N60A4 |
|
Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.
|
|
|
835.20
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
23
|
25.41
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
|
|
48.00
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
197
|
|
|
|
|
UC3845BD1R2G |
|
ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
27
|
|
|