Версия для печати
Технические характеристики HGTG20N60A4D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector (Ic) (Max)	70A
Power - Max	290W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007

HGTG20N60A4D 600V, SMPS series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Производитель: Intersil Corporation //www.intersil.com HGTG20N60A4D datasheet 353.72Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		446	259.07
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	504	368.34
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	848	363.36
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц			1 133.24
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	МЕКСИКА
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INFINEON
		IRGP50B60PD1		Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	IR/VISHAY	13	871.20
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAI/QTC
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAIR
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FSC
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт		6	55.20
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	Fairchild Semiconductor
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	FAIRCHILD	26	124.74
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	ONS	104	253.59
		RFP50N06		Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт	ONS-FAIR
		RURP860			FAIR
		RURP860					153.20
		RURP860			FAIRCHILD
		RURP860			FAIRCHILD
		RURP860			Fairchild Semiconductor
		RURP860			ONS
		XTEAWT-00-0000-00000BEE7			CREE
		XTEAWT-00-0000-00000BEE7

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"