Версия для печати
Технические характеристики BC307B

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	130MHz
Power - Max	500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

Selection guide Small-signal Transistors Также в этом файле: BC307B Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BC307B datasheet 4.83Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		416	12.88
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	540	12.49
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	6 916	12.72
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ	1 880	8.48
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1728
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2400
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2884
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	4344
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	10	1	6.40

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1015GR		PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SA1015GR		PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		1	21.42
		2SA1015GR		PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SA1015GR		PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	UTC
		2SA1145		Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz	TOSHIBA
		2SA1145		Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz			28.56
		2SA1145		Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz	TOS
		2SA1145		Транзистор PNP 150V, 50mA, 0.8W, 200MHz	ISC	800	15.83
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz			5.60
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	UTC	5 498	1.67
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CJ
		2SC2705		Транзистор S-N, 150В, 0.05A, TO92	TOSHIBA
		2SC2705		Транзистор S-N, 150В, 0.05A, TO92			32.08
		2SC2705		Транзистор S-N, 150В, 0.05A, TO92	TOS
		2SC4131			SK
		2SC4131					363.24
		2SC4131			SANKEN
		2SC4131			ISCSEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"