0896BM15A0001E

Версия для печати

Технические характеристики 0896BM15A0001E

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Частотный диапозон	863MHz ~ 928MHz
Impedance - Unbalanced/Balanced	50 / - Ohm
Phase Difference	180° ±10
Insertion Loss (Max)	1.5dB
Return Loss (Min)	9.5dB
Корпус (размер)	0.079" L x 0.049" W x 0.028" H (2.00m x 1.2mm x 0.70mm)
Тип монтажа	Поверхностный

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX84-C2V4		PHILIPS
BZX84-C2V4		NXP
BZX84-C2V4
BZX84-C2V4		NXP
BZX84-C2V4		PHILIPS
BZX84-C2V4		NEXPERIA
BZX84-C2V4		KEEN SIDE	2 227	1.70 >100 шт. 0.85
DALC208SC6		ST MICROELECTRONICS	12	9.37
DALC208SC6			11	37.80
DALC208SC6		ST MICROELECTRONICS SEMI	1 072
DALC208SC6		STMicroelectronics
DALC208SC6		МАЛАЙЗИЯ
DALC208SC6		ST MICROELECTRO
DALC208SC6		1
DT38-32.768KHZ		KDS	72	10.09
DT38-32.768KHZ		0.00
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONS	75	196.31
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт		10	79.38
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	МАЛАЙЗИЯ
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMIC
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTO
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONSEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONSEMI
U.FL-R-SMT-1(10)		HIROSE
U.FL-R-SMT-1(10)				199.68
U.FL-R-SMT-1(10)		HIROSE	16 892
U.FL-R-SMT-1(10)		Hirose Electric Co Ltd
U.FL-R-SMT-1(10)		HIROSE ELECTRIC