|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
|
16 400
|
1.30
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
16
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SMCMICRO
|
4 408
|
5.28
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
HOTTECH
|
34 887
|
6.20
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
KEENSIDE
|
1
|
3.51
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SENOCN
|
560
|
1.82
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
INFINEON
|
3
|
10.08
|
|
|
|
10BQ040 |
|
SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB
|
SUNMATE
|
2 652
|
5.29
|
|
|
|
74HC240DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC240DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4
|
|
|
34.68
|
|
|
|
74HC240DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC240DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
74HC240DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь инвертирующий 2 х 4
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
215
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 672
|
2.11
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.43
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 565
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
397 216
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
691 405
|
1.21
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
336
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
56 326
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
194 303
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
PKLCS1212E4001-R1 |
|
|
MURATA
|
1
|
60.23
|
|
|
|
PKLCS1212E4001-R1 |
|
|
|
|
136.00
|
|
|
|
PKLCS1212E4001-R1 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
PKLCS1212E4001-R1 |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
PKLCS1212E4001-R1 |
|
|
MUR
|
4 556
|
60.00
|
|
|
|
RC0805JR-071R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 1
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-071R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 1
|
YAGEO
|
|
|
|