| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
|
|
96.00
|
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
SAVANTIC
|
|
|
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC2078 |
|
Транзистор NPN AM-L, 80V, 3A, 10W, Po=4W (27MHz)
|
ISC
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
SMT
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
OTHER
|
771
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
JSCJ
|
4 342
|
6.47
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
HXY
|
3 936
|
7.71
|
|
|
|
LM324 |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
382
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
86.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
199
|
18.36
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
12 373
|
18.15
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 820
|
21.07
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
260
|
54.51
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
24 230
|
30.05
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
23.89
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
1 104
|
15.56
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 411
|
15.42
|
|
|
|
|
TIP35CW |
|
NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TIP35CW |
|
NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)
|
|
|
|
|
|
|
|
TIP35CW |
|
NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP35CW |
|
NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TIP35CW |
|
NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TIP35CW |
|
NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
ДИХЛОРЭТАН, 30 МЛ |
|
|
|
|
78.00
|
|