Версия для печати
Технические характеристики TIP35CW

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 5A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 15A, 4V
Power - Max	125W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	10 777	6.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 077	3.90
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	1 932	3.58
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	49 321	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.82  >100 шт.   0.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.08
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	712	1.48  >100 шт.   0.74
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	40	1.94  >100 шт.   0.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	5725
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	RUME	22 400	1.44  >100 шт.   0.72
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SLKOR	1 520	1.44  >100 шт.   0.72
		2SC3198 (KTC) FORMED			KEC
		2SC3198 (KTC) FORMED			СИНГАПУР
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	FAIR
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	BOURNS
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST MICROELECTRONICS	144	82.73
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц		190	65.72
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	BOURNS
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	STMicroelectronics
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ON Semiconductor
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	КИТАЙ
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST1
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST MICROELECTRO
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	STMICROELECTR
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	MULTICOMP
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	1
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	ST MICROELECTRONICS
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)			261.64
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	STMicroelectronics
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)			261.64
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	КИТАЙ
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	ST MICROELECTRONICS SEMI	234
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	ST1
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный		499	69.92
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	КРЕМНИЙ	80	96.04
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	БРЯНСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	МИНСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	УЛЬЯНОВСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	ИНТЕГРАЛ
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"