ASAHI SN60PB40 1.0ММ 250ГР (С ФЛЮСОМ)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ASAHI SN60PB40 1.0ММ 250ГР (С ФЛЮСОМ)		1 099.20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1962-O	Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 17A, 130W, 30MHz	TOSHIBA
2SA1962-O	Биполярный транзистор Si-P, 230/230V, 17A, 130W, 30MHz	TOSHIBA
2SB688	Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz			33.88
2SB688	Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	KEC
2SB688	Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	INCHANGE SEMIC
2SB688	Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	ISC	92	76.60
2SB688	Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	ISCSEMI
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	15	1 125.45
МГШВ-0.35 ЧЕРН.	Провод монтажный			14.00
СП3-30Б-0,125-100 КОМ-20%-В