Версия для печати
Технические характеристики TIP35CW

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 5A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 15A, 4V
Power - Max	125W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 820	8.40
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		STK4036 II			SANYO
		STK4036 II					470.40
		STK4036 II			4-7 НЕДЕЛЬ	572
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	FAIR
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	BOURNS
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST MICROELECTRONICS
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц		371	64.64
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	BOURNS
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	STMicroelectronics
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ON Semiconductor
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	КИТАЙ
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST1
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	ST MICROELECTRO
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	STMICROELECTR
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	MULTICOMP
		TIP36C		Транзистор биполярный большой мощности S-P 100В, 25A, 3МГц	1
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	ST MICROELECTRONICS
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)			261.64
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	STMicroelectronics
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)			261.64
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	КИТАЙ
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	ST MICROELECTRONICS SEMI	234
		TIP36CW		PNP 100V, 25A, 125W (Comp. TIP35CW)	ST1
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные		94	22.08
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	КРЕМНИЙ	80	94.50
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	УЛЬЯНОВСК
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ВОРОНЕЖ	4 440	16.80
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	БРЯНСК	149	25.20
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ЭЛЬТАВ
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	МИНСК
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"