SI4178DY-T1-GE3
|
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 15V |
| Power - Max | 5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL10B334KO8NNNC | SAM |
|
|
|||||
| CL10B334KO8NNNC |
|
|
||||||
| CL10B334KO8NNNC | SAMSUNG | 482 236 |
1.02 >500 шт. 0.34 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MUR | 15 054 359 |
0.65 >1000 шт. 0.13 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MURATA | 26 |
0.87 >500 шт. 0.29 |
|||||
| GRM155R71H104KE14D |
|
|
||||||
| GRM155R71H104KE14D | MURATA | 15 483 |
|
|||||
| GRM155R71H104KE14D | MURA |
|
|
|||||
| RC0402FR-0733RL | YAGEO | 509 521 |
0.50 >1000 шт. 0.10 |
|||||
| RC0402FR-0733RL | YAGEO | 11 034 |
|
|||||
| RC0402FR-0733RL | 152 |
|
||||||
| SRN5040-100M | BOURNS |
|
|
|||||
| SRN5040-100M |
|
|
||||||
| TMP117AIDRVT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TMP117AIDRVT |
|
|
||||||
| TMP117AIDRVT | TEXAS |
|
|
|||||
| TMP117AIDRVT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 719 |
|
