Версия для печати
Технические характеристики LQM21NNR10K10D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQM21N
Inductance	100nH
Current	250mA
Тип	Ferrite Core
Допустимые отклонения емкости	±10%
Shielding	Shielded
DC Resistance (DCR)	260 mOhm Max
Q @ Freq	20 @ 25MHz
Self Resonant Freq	340MHz
Корпус (размер)	0805 (2012 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Frequency - Test	25MHz
Material - Core	Ferrite
Сфера применения	General Purpose
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Индукторы, катушки, дроссели

 » 

Постоянные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA		40	8.82
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	VISHAY	28	5.25
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	GALAXY	2	9.30
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	КИТАЙ
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	DC COMPONENTS	19 776	1.28  >100 шт.   0.64
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	KINGTRONICS
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	GALAXY ME
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	HOTTECH	4	2.07
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	KLS
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	LGE	9 152	1.78  >100 шт.   0.89
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	ST MICROELECTRONICS	181	1.17
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	1
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	WUXI XUYANG	5 154	1.21
		BZX55C2V4		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA	227
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С		7 324	101.12
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	Maxim Integrated Products
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX/DALL
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM INTEGR
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	YOUTAI	39 476	48.79
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW	5 040	56.83
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW-YOUTAI
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MSKSEMI	17 389	28.57
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	4-7 НЕДЕЛЬ	741
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07330R		Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
		RC0805JR-07390R		Резистор SMD, 0805, 390 Ом, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		667	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 152	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	3 200	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"