|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BA6288FS |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
BA6288FS |
|
|
|
|
2 440.00
|
|
|
|
BA6288FS |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
713
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
|
73
|
8.82
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
104
|
8.27
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
20 752
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
9 500
|
1.96
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
LGE
|
10 360
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
183
|
1.27
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
WUXI XUYANG
|
4 204
|
2.24
|
|
|
|
RC0805JR-07330R |
|
Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07330R |
|
Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-07330R |
|
Резистор SMD, 0805, 330 Ом, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
WS6264LLPG-70 |
|
|
|
|
340.96
|
|
|
|
WS6264LLPG-70 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
356
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
576
|
11.96
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
520
|
8.40
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
10.21
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 920
|
48.56
|
|