MMBFJ177LT1G
|
JFET SS P-CHAN 25V SOT23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5mA @ 15V |
| FET Type | P-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800mV @ 10nA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 300 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Power - Max | 225mW |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT54ALT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ONS |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 26 376 |
|
|||||
| BAT54ALT1G | LRC |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAT54ALT1G | ONSEMI | 167 | 2.25 | |||||
| BAT54ALT1G |
|
|
||||||
| BAT54ALT1G | 209 |
|
|
|||||
| BAV70.215 | NXP |
|
|
|||||
| BAV70.215 |
|
|
||||||
| BAV70.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BAV70.215 | NXP(PHILIPS) | 240 |
1.66 >100 шт. 0.83 |
|||||
| BC817-40.215 | NXP |
|
|
|||||
| BC817-40.215 | NEX-NXP | 3 | 1.60 | |||||
| BC817-40.215 |
|
|
||||||
| BC817-40.215 | HOTTECH |
|
|
|||||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | ST MICROELECTRONICS SEMI | 9 944 |
|
|||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA | STMicroelectronics |
|
|
|||
| SMAJ58A-TR |
|
Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA |
|
|
||||
| STPS1H100A |
|
Диод Шоттки | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| STPS1H100A |
|
Диод Шоттки | STMicroelectronics |
|
|
|||
| STPS1H100A |
|
Диод Шоттки | 15 760 | 8.15 | ||||
| STPS1H100A |
|
Диод Шоттки | КИТАЙ |
|
|
|||
| STPS1H100A |
|
Диод Шоттки | ST MICROELECTRONICS SEMI | 2 630 |
|
