| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 Wire Change 08/Jun/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3006P 10K |
|
|
|
80
|
16.87
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
263
|
7.35
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONS
|
298
|
7.70
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
CKX3-3.5-09 ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 864
|
16.80
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
13.20
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
4 307
|
16.99
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
|
PB22E07 С ФИКСАЦИЕЙ 7X7X12 MM |
|
|
|
2 022
|
5.05
|
|
Версия для печати
