Версия для печати
Технические характеристики BAV70.215

Производитель	NXP
Количество в упаковке	3000 шт.
Вес	0.029 г
Bag Type	75 В
Tape Width - Max	2CC x 0.215 А
Bushing Thread	4 нс
Число шагов	1.25 В
Technology	2 (общий катод)
Корпус (размер)	SOT23

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT54ALT1G			ON SEMICONDUCTOR
		BAT54ALT1G			ONS	10 295	4.14
		BAT54ALT1G			ON SEMICONDUCTOR	26 376
		BAT54ALT1G			LRC
		BAT54ALT1G			ONSEMICONDUCTOR
		BAT54ALT1G			ONSEMI	167	3.57
		BAT54ALT1G
		BC817-40.215			NXP
		BC817-40.215			NEX-NXP	51	1.16
		BC817-40.215
		BC817-40.215			HOTTECH
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
		RD16HHF1		Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ
		SMAJ58A-TR		Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS	880	14.45
		SMAJ58A-TR		Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
		SMAJ58A-TR		Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
		SMAJ58A-TR		Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA
		STPS1H100A		Диод Шоттки	ST MICROELECTRONICS	37 749	10.67
		STPS1H100A		Диод Шоттки	STMicroelectronics
		STPS1H100A		Диод Шоттки		16 000	8.01
		STPS1H100A		Диод Шоттки	КИТАЙ
		STPS1H100A		Диод Шоттки	ST MICROELECTRONICS SEMI	2 630

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"