| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | AVR® ATtiny |
| Процессор | AVR |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 20MHz |
| Подключения | USI |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 6 |
| Размер программируемой памяти | 2KB (1K x 16) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 128 x 8 |
| Размер памяти | 128 x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 4x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74LVC1G66GV |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G66GV |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G66GV |
|
|
NXP
|
296
|
|
|
|
|
|
74LVC1G66GV |
|
|
PHILIPS
|
3 880
|
|
|
|
|
|
74LVC1G66GV |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
74LVC1G66GV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
36
|
|
|
 |
 |
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
691 956
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
32 012
|
3.53
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
15 343
|
3.53
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
547
|
3.59
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
|
20.24
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TECH PUB
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
103 492
|
1.94
|
|
|
|
|
MCP41010-I/SN |
|
Потенциометр цифровой (IC POT DIGITAL 10K 1CH SPI 8SOIC - Microchip Technology 256 10K ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP41010-I/SN |
|
Потенциометр цифровой (IC POT DIGITAL 10K 1CH SPI 8SOIC - Microchip Technology 256 10K ...
|
|
296
|
386.63
|
|
|
|
|
MCP41010-I/SN |
|
Потенциометр цифровой (IC POT DIGITAL 10K 1CH SPI 8SOIC - Microchip Technology 256 10K ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP41010-I/SN |
|
Потенциометр цифровой (IC POT DIGITAL 10K 1CH SPI 8SOIC - Microchip Technology 256 10K ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP41010-I/SN |
|
Потенциометр цифровой (IC POT DIGITAL 10K 1CH SPI 8SOIC - Microchip Technology 256 10K ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
328
|
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 920
|
50.63
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
64
|
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
TEXAS
|
3 910
|
31.94
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
|
5 660
|
22.08
|
|
|
|
|
TLV2372IDR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
392
|
|
|
Версия для печати
