Версия для печати
Технические характеристики BT151-800

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Standard Recovery
Voltage - Off State	800V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.75V
Current - On State (It (AV)) (Max)	7.5A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	12A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	15mA
Current - Hold (Ih) (Max)	20mA
Current - Off State (Max)	500µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	100A, 110A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	56 179	1.39
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	456 113	1.47
		1N4007			DIOTEC	77 452	2.99
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	207 691	1.27
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				200 205	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	23 251	1.03
		1N4007			HOTTECH	139 112	1.08
		1N4007			KLS	56 800	2.07
		1N4007			YS	2 330	1.36
		1N4007			YANGJIE	800	1.54
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 461	1.03
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	84 645	1.97
		1N4007			TWGMC	26 673	1.44  >500 шт.   0.48
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	93	2.12
		1N4007			ASEMI	954	1.13
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	FAIR
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	VISHAY
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	FAIRCHILD
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	GALAXY
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	FAIRCHILD
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	Fairchild Semiconductor
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	БРЕСТ	147	1.05
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	МАЛАЙЗИЯ
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	КИТАЙ
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V		759	4.80
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	KINGTRONICS
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	GALAXY ME
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	EIC	1 044	1.48
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	HOTTECH	3 586	1.68
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	KLS
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	KOME	3 083	1.20
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	SEMTECH
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	ST MICROELECTRONICS
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	1
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	SUNTAN	6 136	1.18
		BZX55C8V2		Cтабилитрон универсальный 0.5 Вт, 8.2 V	RUME	20 000	1.10  >100 шт.   0.55
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс		749	220.80
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ФОТОН	3 401	21.00
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСК
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	RUS
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ELNEC
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	СЗТП
		КД212А		Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 796	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	18 572	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 160	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		ПЭВ 25 510 ОМ 10%				17	117.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"