Версия для печати
Технические характеристики BT152-800R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Standard Recovery
Voltage - Off State	800V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.75V
Current - On State (It (AV)) (Max)	13A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	20A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	32mA
Current - Hold (Ih) (Max)	60mA
Current - Off State (Max)	1mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	200A, 220A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BT152 (Тиристоры) Thyristors Также в этом файле: BT152-800R Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BT152-800R datasheet 47.64Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MIC
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIR
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL INSTRUMENT
		1N4006		Диод 1А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	FSC
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MOTOROLA
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIRCHILD
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIRCHILD	2 113
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL INSTRUMENT
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR	2 230
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4006		Диод 1А, 800В	MOTOROLA	1 040
		1N4006		Диод 1А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	DIODES INC.	2 063
		1N4006		Диод 1А, 800В	Fairchild Semiconductor
		1N4006		Диод 1А, 800В	Micro Commercial Co
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICROSEMI CORP
		1N4006		Диод 1А, 800В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4006		Диод 1А, 800В	КИТАЙ
		1N4006		Диод 1А, 800В	DIOTEC
		1N4006		Диод 1А, 800В		260	5.04
		1N4006		Диод 1А, 800В	DC COMPONENTS	44 607	1.50  >100 шт.   0.75
		1N4006		Диод 1А, 800В	MD
		1N4006		Диод 1А, 800В	ONS
		1N4006		Диод 1А, 800В	ONS-FAIR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MASTER INSTRUMENT	532	5.47
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB	NXP
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB			89.40
		MC74HC273ADWG			ON SEMICONDUCTOR
		MC74HC273ADWG			ONS
		MC74HC273ADWG
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...		364	53.09
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ПЛАНЕТА	2 331	42.00
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	МИНСК
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	СВЕТЛАНА
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ВОРОНЕЖ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		9 291	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	20 361	48.30
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 920	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"