Версия для печати
Технические характеристики BT152-800R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Standard Recovery
Voltage - Off State	800V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	1.5V
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.75V
Current - On State (It (AV)) (Max)	13A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	20A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	32mA
Current - Hold (Ih) (Max)	60mA
Current - Off State (Max)	1mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	200A, 220A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BT152 (Тиристоры) Thyristors Также в этом файле: BT152-800R Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BT152-800R datasheet 47.64Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	27 456	3.14
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	338 445	1.38
		1N4007			DIOTEC	68 968	2.69
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	154 301	2.46
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				170 128	1.52  >100 шт.   0.76
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	22	1.51
		1N4007			HOTTECH	58 224	1.22  >100 шт.   0.61
		1N4007			KLS
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	56 896	1.39
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	29 032	1.17
		1N4007			TWGMC	98 686	1.01
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	45	1.28
		1N4007			ASEMI	1	1.44  >100 шт.   0.72
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	347 162	1.06  >100 шт.   0.53
		1N4007			MERRYELC
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	471 440	1.28  >100 шт.   0.64
		1N4007			71682
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB	NXP
		BT145-800R		Тиристор 25A 800В TO220AB			89.40
		К73-17-630-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В			15.44
		К73-17-630-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В	SUNTAN
		К73-17-630-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В	КЗК
		К73-17-630-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В	КИТАЙ
		К73-17-630-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В	ПРОМТЕЗКЗК
		К73-17-630-0.22 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.22 мкФ 630 В	ПРОМТЕХКЗК
		КТ818АМ		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		292	53.65
		КТ818АМ		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	8	441.15
		КТ818АМ		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	234	74.20
		КТ818АМ		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	11
		КТ818АМ		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	245
		КТ818АМ		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	26
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		4 952	32.20
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	19 992	50.88
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 280	123.98
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"