| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Standard Recovery |
| Voltage - Off State | 800V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.75V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 13A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 20A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 32mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
| Current - Off State (Max) | 1mA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 200A, 220A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BT145-800R |
|
Тиристор 25A 800В TO220AB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT145-800R |
|
Тиристор 25A 800В TO220AB
|
|
|
89.40
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
|
1 672
|
31.80
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
СЗТП
|
80
|
65.59
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД202В |
|
Диффузщионный диод 100В, 5А, 1.2кГц
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
5 792
|
32.20
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
17 776
|
50.88
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 280
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
468
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 056
|
46.64
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
3 680
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-2-5.6 КОМ 10% |
|
|
|
|
|
|