| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
INFINEON
|
52
|
238.14
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
|
1
|
302.40
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
684
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 33 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 33 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 510 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SQP 10W 510 5% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
|
|
51.32
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
ULQ2003D1013TR |
|
7 ключей на составных транзисторах
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
386
|
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...
|
|
12
|
74.00
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...
|
КВАЗАР
|
|
|
|
Версия для печати
