HFA16TB120
Ультрабыстрый диод 16А, 1200В, 151Вт
|
Ультрабыстрый диод |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFRED® |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 16A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 1200V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 135ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
| Корпус | TO-220AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HFA16TB120S (Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)) 1200V 16A Hexfred Discrete Diode Также в этом файле: HFA16TB120STRL, HFA16TB120STRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А |
|
891.32 | ||
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А | INFINEON |
|
|
|
 |
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) |
|
644.00 | ||
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | ТАИЛАНД |
|
|
|
| SQP 10W 12 5% |
|
|
||||||
| К174УК1 | 36 | 53.09 | ||||||
| К174УК1 | ОРБИТА |
|
|
|||||
| К174УК1 | ДЕЛЬТА |
|
|
|||||
| К174УК1 | САРАНСК |
|
|
|||||
| К73-9-0.047МКФ 100В (10%) |
|
|
